3GAE: Samsungs 3-nm-Node soll 50 Prozent sparsamer sein

Es wäre der größte Schritt der vergangenen Jahre: Das 3GAE genannte 3-nm-Fertigungsverfahren von Samsung Foundry soll viel kleinere Chips bei deutlich höherer Geschwindigkeit und vor allem drastisch reduzierter Leistungsaufnahme erzielen. Ein Test-Tape-Out existiert. (Halbleiterfertigung, Samsung)
Quelle: Golem