Mit 3 nm erfolgt bei Samsungs Halbleiterfertigung der Wechsel auf Gate All Around (GAA), danach soll 2 nm die Performance weiter erhöhen. (Halbleiterfertigung, Samsung)
Quelle: Golem
Mit 3 nm erfolgt bei Samsungs Halbleiterfertigung der Wechsel auf Gate All Around (GAA), danach soll 2 nm die Performance weiter erhöhen. (Halbleiterfertigung, Samsung)
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