IBM meldet die erfolgreiche Fertigung erster Chip-Muster mit GAA-FETs mit 5-nm-Strukturen; bei diesen Nanosheet-Transistoren kam auch EUV-Lithografie zum Einsatz.
Quelle: Heise Tech News
IBM meldet die erfolgreiche Fertigung erster Chip-Muster mit GAA-FETs mit 5-nm-Strukturen; bei diesen Nanosheet-Transistoren kam auch EUV-Lithografie zum Einsatz.
Quelle: Heise Tech News